將具有高導(dǎo)電性的銀納米線(Ag NWs)引入石墨烯骨架，顯著增強(qiáng)了其電磁屏蔽性能。然而，Ag NWs制備過程復(fù)雜、產(chǎn)率低，以及物理自組裝法制備的石墨烯與Ag NWs之間相互作用較弱，限制了其電磁屏蔽應(yīng)用。在此，采用石墨烯誘導(dǎo)策略用于原位合成石墨烯/銀納米復(fù)合材料，期間不需要鹵化物離子的其他成核劑和形態(tài)劑。石墨烯的O=C-O基團(tuán)提供了成核位點(diǎn)使銀核結(jié)合。重要的是，具有氧官能團(tuán)的石墨烯作為一個(gè)“Ag
+” 池，可以儲(chǔ)存和釋放大量的Ag
+，在Ag NWs的生長(zhǎng)期間連續(xù)供Ag
+，并抑制過度成核。得益于三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的高電阻損耗，所得石墨烯/銀納米線涂層表現(xiàn)出顯著的電磁屏蔽效能（76.59分貝）。該工作為高性能電磁屏蔽材料提供了廣闊的前景。
Figure 1. 石墨烯誘導(dǎo)的銀納米線和銀納米粒子的制備過程圖解(a)。純銀、G400/Ag和G3000/Ag的XRD圖譜(b)和UV-vis吸收光譜(c)。G400/Ag和G3000/Ag的TG曲線(d)和Ag含量(e)。
Figure 2. G400/Ag (a-b)和Ag NWs(c)在不同放大倍數(shù)下的SEM圖。G400/Ag的元素分布圖(d)。G3000/Ag和純銀在不同放大倍數(shù)下的SEM圖（e-g）。G3000/Ag的元素分布圖(h)。G400/銀的TEM 和HRTEM圖（i-k）。
Figure 3.G400在成核過程中于不同放大倍率下，分別在25°C ( a-c)，60°C (d-f)，120°C (j-l)和160°C（m-o）時(shí)的TEM圖像。
Figure 4．G400和G3000的XRD圖譜(a)、FT-IR光譜(b)、UV-vis吸收光譜(c)和比表面積(d)。純AgNO3、G400/AgNO3和g 3000/ AgNO3溶液的ζ電勢(shì)(e)。（f-i）XPS光譜。(j-m)各種基團(tuán)的優(yōu)化結(jié)構(gòu)。(n)各種基團(tuán)的Bader電荷轉(zhuǎn)移。Ag原子與帶有C=O-O基團(tuán)的石墨烯的電荷密度差。所有基團(tuán)的吸附能(p)和銀與氧的距離(q)。
Figure 5．（a，b）G400/Ag涂層屏蔽前后手機(jī)信號(hào)演示圖。G400/Ag和G3000/Ag涂層在3.94~5.99 GHz頻率范圍內(nèi)的SE
T(c)、SE
R(d)、SE
A(e)和T(f)。
該研究工作由韓國(guó)東國(guó)大學(xué)首爾校區(qū)Hyun Jung課題組于2021年發(fā)表在Carbon期刊上。原文：A one-step graphene induction strategy enables in-situ controllable growth of silver nanowires for electromagnetic interference shielding
。
轉(zhuǎn)自《石墨烯雜志》公眾號(hào)
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