利用陽光從二氧化碳 (CO2 ) 中生產(chǎn)有價(jià)值的化學(xué)品和燃料，即人工光合作用 (AP) 是實(shí)現(xiàn)太陽能儲(chǔ)存和負(fù)碳循環(huán)的有前途的策略。然而，選擇性合成具有高 CO2轉(zhuǎn)化率的C2化合物對(duì)于當(dāng)前的 AP 技術(shù)仍然具有挑戰(zhàn)性。我們在模擬太陽輻射下在石墨烯/碳化硅 (SiC) 催化劑上進(jìn)行了 CO2光電還原，乙醇 (C2H5 OH) 選擇性 > 99%，CO2轉(zhuǎn)化率高達(dá) 17.1 mmol g cat
−1 h
−1個(gè)具有持續(xù)的性能。實(shí)驗(yàn)和理論研究表明最佳界面層可促進(jìn)光生電子從 SiC 襯底轉(zhuǎn)移到少層石墨烯覆蓋層，這也有利于有效的 CO2 到乙醇轉(zhuǎn)化途徑。
Fig 1. 合成方案、拉曼光譜和CO2光電催化性能。a) 石墨烯/SiC 復(fù)合材料制備示意圖。b) 100 nm 立方 SiC (c-S1) 和 200 nm (h-S2)、400 nm (h-S4) 和 800 nm (h-S8) 六方 SiC 以及相應(yīng)外延生長的石墨烯的拉曼光譜/SiC 復(fù)合材料：c-GS1、h-GS2、h-GS4 和 h-GS8。c)裸SiC和石墨烯/SiC樣品的CO2光電催化性能比較。
Fig 2. 結(jié)構(gòu)表征。a) 復(fù)合催化劑的C 1s能級(jí)的XPS光譜。b) 基于 (a) 中 XPS 光譜的 IL/SiC 和 Gr/SiC 的相對(duì)強(qiáng)度比。c) NEXAFS 光譜。d) 高分辨率圖像。黃色虛線表示晶格邊界。e) 復(fù)合催化劑的 EPR 光譜。
Fig 3. 檢測反應(yīng)中間體。在不同光照射時(shí)間下， CO2和H2O 蒸氣混合物在 a) h-S4 和 b) h-GS4 上的共吸附原位 ATR-FTIR 光譜。
Fig 4. DFT研究。a) 在 SiC 襯底上具有 IL 和 Gr 層的石墨烯/SiC 復(fù)合催化劑的結(jié)構(gòu)模型。b) 由于 CO 吸附引起的電荷密度差異圖，分別顯示為累積正電荷和負(fù)電荷的黃色和青色等值面。c) 計(jì)算的 CO 吸附能與 IL 結(jié)構(gòu)的 Si/C 原子比。d) 計(jì)算的 CO 吸附能與 Bader 電荷分析預(yù)測的 CO 吸附引起的不飽和 C 位點(diǎn)的電子損失。e) Gr
vac1 /SiC
1.25催化劑模型上 OC−CO 二聚和 CO 加氫的勢能面，與 Gr
vac1 /SiC 催化劑模型相反，這有利于二聚而不是加氫。
相關(guān)研究工作由中科院上海高等研究院Wei Chen課題組于2023年在線發(fā)表在《Angewandte Chemie International Edition》期刊上，原文：Highly Selective Photoelectroreduction of Carbon Dioxide to Ethanol over Graphene/Silicon Carbide Composites。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
