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產品型號：
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BTF-1200C-PECVD
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實驗機理：
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PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單。
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技術參數：
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加熱區參數
反應腔體尺寸：Φ50，Φ60，Φ80，Φ100
加熱元件：電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo）
加熱區長度：440mm
恒溫區長度：200mm（±1℃）
工作溫度：1100℃
最高溫度：1200℃
控溫方式：模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能
控溫精度：±1℃
升溫速率：20℃/min
爐門結構：開啟式
工作電源：AC220V /50HZ
額定功率：3KW
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真空參數
采用KF25系列波紋管和手動擋板閥；
真空度可達10-3torr；
數顯真空測試儀可直觀的顯示數值。
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流量控制參數
內部裝有高精度質量流量計可準確的控制氣體流量；
氣體流量范圍可選，誤差為±1.5%；
一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥；
不銹鋼針閥安裝在左側可手動控制混合氣體輸入。
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射頻電源與匹配器
電源：單相50/60Hz 220v±10%
加熱（功率）電源：2.5KW，25A
控制柜電源空氣開關：32A空氣開關
薄膜生長室溫度：室溫~ 1200℃
射頻頻率：13.56MHz
射頻功率輸出范圍：5~500W
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細節展示：
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外型尺寸：
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爐體：940×380×520mm
供氣及真空系統：600×600×600mm
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凈重：
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130Kg
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